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中國半導體協(xié)會：集成電路流片地認定為原產(chǎn)地

中微半導體 2024 年凈利潤 1.35 億元，實現(xiàn)扭虧為盈

營收 9.11 億元。

安徽富樂德科技推出新型半導體不銹鋼TTN膜清洗裝置

安徽富樂德科技發(fā)展股份有限公司近日公開了一項新型半導體不銹鋼TTN膜的清洗裝置及工藝專利，該技術(shù)通過自動化機械臂和多重清洗槽體，實現(xiàn)了高效、精準的清洗過程。

浙江企業(yè)推出新型硅片檢測技術(shù)，提升半導體制造效率

浙江求是半導體設(shè)備有限公司與浙江晶盛機電股份有限公司聯(lián)合研發(fā)的新型圖像采集裝置及硅片檢測方法，近日獲得發(fā)明專利授權(quán)。該技術(shù)通過優(yōu)化圖像采集和識別流程，顯著提高了硅片缺陷檢測的效率。

浙江企業(yè)研發(fā)新型半導體拋光設(shè)備，提升拋光墊粘貼品質(zhì)

浙江求是半導體設(shè)備有限公司與浙江晶盛機電股份有限公司聯(lián)合研發(fā)了一種新型拋光設(shè)備，該設(shè)備通過創(chuàng)新的布設(shè)機構(gòu)設(shè)計，有效提高了拋光墊的粘貼品質(zhì)，解決了半導體拋光技術(shù)中的關(guān)鍵問題。

上海新陽半導體材料股份有限公司推出新型清洗液專利

上海新陽半導體材料股份有限公司近日公開了一項新型清洗液專利，該清洗液具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和清洗效果，適用于半導體制造中的多種應(yīng)用場景。

上海新陽半導體材料股份有限公司發(fā)布新型清洗液專利

上海新陽半導體材料股份有限公司近日公開了一項新型清洗液專利，該清洗液具有優(yōu)異的清洗效果和腐蝕選擇性，適用于半導體制造過程中的多種材料處理。

箭牌家居集團推出新型智能烘干裝置，提升衛(wèi)浴體驗

箭牌家居集團股份有限公司與佛山市高明安華陶瓷潔具有限公司聯(lián)合研發(fā)的新型烘干裝置，通過半導體控溫技術(shù)實現(xiàn)冷熱切換，為用戶提供多樣化的烘干模式，進一步提升智能衛(wèi)浴產(chǎn)品的使用體驗。

橫店集團東磁股份有限公司推出新型硅片檢測剔除系統(tǒng)

橫店集團東磁股份有限公司近日公開了一項名為“硅片檢測剔除系統(tǒng)及硅片檢測剔除方法”的發(fā)明專利，該系統(tǒng)通過自動化技術(shù)有效清除硅片生產(chǎn)中的疊片及碎片問題。

江蘇艾森半導體材料股份有限公司發(fā)布新型感光性聚酰亞胺組合物專利

江蘇艾森半導體材料股份有限公司近日公開了一項關(guān)于感光性聚酰亞胺組合物的發(fā)明專利，該技術(shù)具有優(yōu)異的堿溶性和精細圖案復制能力，適用于多種工業(yè)應(yīng)用。

深圳佰維存儲科技股份有限公司申請內(nèi)存測試技術(shù)專利

深圳佰維存儲科技股份有限公司近日申請了一項關(guān)于內(nèi)存測試方法、裝置、存儲介質(zhì)及電子設(shè)備的發(fā)明專利，該專利涉及半導體領(lǐng)域，旨在提高內(nèi)存測試的效率和準確性。

蘇州東微半導體股份有限公司公開新型IGBT器件制造方法

蘇州東微半導體股份有限公司近日公開了一項新型IGBT器件的制造方法，該方法通過減少光刻工藝次數(shù)，顯著降低了制造成本。

蘇州東微半導體股份有限公司發(fā)布新型IGBT器件制造方法專利

蘇州東微半導體股份有限公司近日公開了一項名為“一種IGBT器件的制造方法”的發(fā)明專利，該專利通過減少光刻工藝次數(shù)，顯著降低了IGBT器件的制造成本。

晶芯成與合肥晶合聯(lián)合申請半導體封裝技術(shù)專利，提升器件性能

晶芯成（北京）科技有限公司與合肥晶合集成電路股份有限公司聯(lián)合申請了一項關(guān)于掩膜圖案生成方法及半導體封裝器件的發(fā)明專利，該技術(shù)通過優(yōu)化掩膜圖案設(shè)計，顯著提升了半導體封裝器件的性能。

合肥晶合集成電路股份有限公司發(fā)布新型半導體結(jié)構(gòu)專利

合肥晶合集成電路股份有限公司近日公開了一項名為“半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法”的發(fā)明專利，該專利通過創(chuàng)新的兩步通孔形成技術(shù)，有效解決了半導體制造中的關(guān)鍵問題。

東芯半導體推出新型DDR時鐘同步系統(tǒng)，提升內(nèi)存芯片性能

東芯半導體股份有限公司近日公開了一項名為“DDR時鐘同步系統(tǒng)和具備該系統(tǒng)的DDR內(nèi)存芯片”的發(fā)明專利，該系統(tǒng)通過創(chuàng)新的時鐘信號調(diào)整技術(shù)，顯著提升了DDR內(nèi)存芯片的性能和穩(wěn)定性。

盛美半導體推出新型載臺技術(shù)，大幅降低晶圓處理成本

盛美半導體設(shè)備（上海）股份有限公司近日公開了一項名為“載臺”的發(fā)明專利，該技術(shù)通過簡化零件結(jié)構(gòu)和采用通用機械制造工藝，顯著降低了晶圓處理成本，并提高了設(shè)備的能效和適用性。

盛美半導體推出新型電鍍設(shè)備清洗技術(shù)，提升晶圓良率

盛美半導體設(shè)備（上海）股份有限公司近日公開了一項新型電鍍設(shè)備及清洗方法的發(fā)明專利，該技術(shù)通過雙液柱設(shè)計有效解決了電鍍液清洗不徹底的問題，顯著提高了晶圓的生產(chǎn)良率。

盛美半導體推出新型晶圓清洗方法，提升清洗效果

盛美半導體設(shè)備（上海）股份有限公司近日公開了一項名為“晶圓清洗方法”的發(fā)明專利，該方法通過優(yōu)化清洗流程，顯著提高了晶圓殘留研磨液的清洗效果。

盛美半導體推出新型晶圓清洗裝置，實現(xiàn)SPM溶液高效再利用

盛美半導體設(shè)備（上海）股份有限公司近日公開了一項名為“晶圓清洗裝置”的發(fā)明專利，該裝置通過創(chuàng)新的設(shè)計，成功解決了SPM溶液在晶圓清洗過程中的浪費問題，實現(xiàn)了溶液的再次利用，進一步提升了清洗效率。

盛美半導體推出新型電鍍設(shè)備靜電消除裝置

盛美半導體設(shè)備（上海）股份有限公司近日公開了一項新型電鍍設(shè)備靜電消除裝置及方法，該技術(shù)旨在有效消除電鍍腔內(nèi)聚集的靜電，提升設(shè)備的安全性和穩(wěn)定性。

華海清科推出新型晶圓加工承載頭，提升化學機械拋光效率

華海清科股份有限公司近日公開了一項新型晶圓加工承載頭及化學機械拋光設(shè)備的發(fā)明專利，該技術(shù)通過創(chuàng)新的彈性膜設(shè)計，有效避免了傳統(tǒng)設(shè)備中彈性膜變形的問題，顯著提升了晶圓拋光的精度和效率。

上海晶豐明源半導體股份有限公司發(fā)布新型隔離型電源控制技術(shù)

上海晶豐明源半導體股份有限公司近日公開了一項關(guān)于隔離型電源及其控制電路和控制方法的發(fā)明專利，該技術(shù)通過優(yōu)化開關(guān)周期和調(diào)整關(guān)斷閾值，顯著提高了電源效率并降低了開關(guān)損耗。

上海感圖網(wǎng)絡(luò)科技有限公司推出晶圓背面缺陷檢測新方法

上海感圖網(wǎng)絡(luò)科技有限公司近日公開了一項名為“晶圓背面缺陷檢測方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)”的發(fā)明專利，該技術(shù)旨在提高晶圓背面缺陷檢測的效率。

山東多次方半導體與三未信安科技聯(lián)合推出分布式抗量子數(shù)字簽名技術(shù)

山東多次方半導體有限公司與三未信安科技股份有限公司聯(lián)合研發(fā)的“一種分布式抗量子數(shù)字簽名方法及系統(tǒng)”獲得發(fā)明專利授權(quán)，該技術(shù)通過移動終端、云服務(wù)器和可信密碼設(shè)備的協(xié)同工作，顯著提升了抗量子簽名的安全性。

北京芯馳半導體科技股份有限公司申請新型復位電路專利

北京芯馳半導體科技股份有限公司近日申請了一項名為“復位電路、復位方法和多核異構(gòu)系統(tǒng)”的發(fā)明專利，該專利旨在提升多核異構(gòu)系統(tǒng)的復位效率和穩(wěn)定性。

中電系統(tǒng)建設(shè)工程有限公司獲授權(quán)新型大跨距管架減震機構(gòu)專利

中電系統(tǒng)建設(shè)工程有限公司近日獲得一項實用新型專利，該專利涉及一種大跨距管架減震機構(gòu)，旨在提高半導體廠房中管道的穩(wěn)定性和減震效果。

北京屹唐半導體科技股份有限公司獲晶圓冷卻裝置發(fā)明專利授權(quán)

北京屹唐半導體科技股份有限公司近日獲得一項名為“晶圓冷卻裝置”的發(fā)明專利授權(quán)，該技術(shù)可顯著提高晶圓冷卻效率，為半導體制造行業(yè)帶來新的技術(shù)突破。

中國電子工程設(shè)計院股份有限公司推出新型超純水凈化設(shè)備

中國電子工程設(shè)計院股份有限公司近日公開了一項新型超純水二階凈化設(shè)備及凈化工藝的發(fā)明專利，該技術(shù)旨在為納米半導體制造提供更高品質(zhì)的超純水。

中芯國際新專利：半導體結(jié)構(gòu)及形成方法提升性能

中芯國際集成電路制造（北京）有限公司和上海有限公司近日公開了一項名為“半導體結(jié)構(gòu)及形成方法”的發(fā)明專利，該專利通過優(yōu)化晶圓鍵合技術(shù)，顯著提升了半導體結(jié)構(gòu)的性能。

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