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盛美半導(dǎo)體推出新型電鍍?cè)O(shè)備清洗技術(shù),提升晶圓良率

天眼查App顯示,盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司于2023年6月28日申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“電鍍?cè)O(shè)備及電鍍?cè)O(shè)備的清洗方法”的發(fā)明專利,并于2024年12月31日正式公開。該專利由花宇和楊宏超共同發(fā)明,旨在解決電鍍?cè)O(shè)備在清洗過程中存在的死角問題。

根據(jù)專利摘要,該電鍍?cè)O(shè)備包括一個(gè)清洗單元,該單元能夠噴射至少兩個(gè)液柱,這些液柱穿過活動(dòng)空間并噴射至晶圓支撐環(huán)上。通過這種設(shè)計(jì),液柱在不被支撐柱遮擋的情況下,能夠在晶圓支撐環(huán)上形成至少兩個(gè)不重疊的清洗區(qū)域。當(dāng)驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)支撐柱傳動(dòng)晶圓夾盤及晶圓支撐環(huán)做中心旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)時(shí),至少有一個(gè)清洗區(qū)域不被支撐柱遮擋,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)支撐柱產(chǎn)生的清洗死角進(jìn)行補(bǔ)充清洗。

該技術(shù)的創(chuàng)新之處在于通過雙液柱的設(shè)置,避免了電鍍液清洗不徹底的問題,進(jìn)而大大提高了晶圓的良率。這一技術(shù)的應(yīng)用有望在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域帶來顯著的生產(chǎn)效率提升和成本降低。

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