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天眼查App顯示，近日，中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司與中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司聯(lián)合申請(qǐng)的一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”的發(fā)明專利正式公開，專利號(hào)為CN202310779118.8。該專利涉及一種新型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，旨在提升閃存器件的性能穩(wěn)定性。

根據(jù)專利摘要，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底，襯底分為存儲(chǔ)區(qū)和邏輯區(qū)。存儲(chǔ)區(qū)上設(shè)有相互分立且成對(duì)存在的存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)，成對(duì)的存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)之間具有第一開口，暴露出至少部分浮柵的側(cè)壁表面。浮柵內(nèi)設(shè)有離子摻雜區(qū)，第一開口暴露出該離子摻雜區(qū)。此外，第一開口暴露出的浮柵表面以及控制柵表面還設(shè)有隧穿介質(zhì)層，邏輯區(qū)表面則設(shè)有柵極氧化層。

該專利通過優(yōu)化存儲(chǔ)區(qū)與邏輯區(qū)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，有效減少了邏輯運(yùn)算器件的氧化工藝對(duì)閃存器件的影響，減少了結(jié)構(gòu)缺陷，從而提升了閃存器件的性能穩(wěn)定性。這一技術(shù)突破有望為未來半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)與制造提供新的思路。

據(jù)悉，該專利的公開日期為2024年12月31日，目前處于公開狀態(tài)。中芯國(guó)際作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的集成電路制造企業(yè)，此次專利的公開進(jìn)一步彰顯了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新能力。

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