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華北電力科學研究院推出新型IGBT缺陷定位技術

天眼查App顯示,近日,華北電力科學研究院有限責任公司與國家電網(wǎng)有限公司共同研發(fā)的“基于關斷過程柵極電壓的IGBT缺陷定位方法及系統(tǒng)”正式獲得發(fā)明專利,專利號為CN202411756978.0。該技術旨在通過分析IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)在關斷過程中的柵極電壓變化,實現(xiàn)對內(nèi)部缺陷的精準定位。

該技術的核心在于獲取目標IGBT的芯片總數(shù)和檢測數(shù)據(jù),包括在關斷過程的柵極電壓下降階段的正常柵極電壓、實際柵極電壓、第一正常時長、第一實際時長,以及在米勒平臺階段的第二正常時長和第二實際時長。通過對比這些數(shù)據(jù),系統(tǒng)能夠準確判斷IGBT內(nèi)部是否存在缺陷,并確定缺陷的具體位置。

據(jù)研發(fā)團隊介紹,該技術的應用將極大提升IGBT的維護效率,減少因設備故障導致的電力系統(tǒng)中斷。目前,該技術已進入公開階段,預計將在2024年底正式投入使用。

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