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天眼查App顯示，合肥晶合集成電路股份有限公司于2024年12月3日申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體器件、制備方法、讀寫(xiě)方法及存儲(chǔ)器”的發(fā)明專(zhuān)利，并于2024年12月31日正式公布。該專(zhuān)利由發(fā)明人周成提出，旨在解決現(xiàn)有平面器件在尺寸微縮過(guò)程中遇到的難題。

根據(jù)專(zhuān)利摘要，該半導(dǎo)體器件包括襯底、有源柱、存儲(chǔ)單元以及柵極字線(xiàn)結(jié)構(gòu)。有源柱設(shè)置于襯底上，并沿著遠(yuǎn)離襯底的第一方向延伸。多個(gè)存儲(chǔ)單元沿著第一方向并列設(shè)置，并耦合于有源柱的側(cè)壁。多個(gè)柵極字線(xiàn)結(jié)構(gòu)沿著第一方向并列且間隔設(shè)置，用于控制有源柱中溝道的通斷，且相鄰的兩個(gè)柵極字線(xiàn)結(jié)構(gòu)之間均設(shè)置有存儲(chǔ)單元。

該專(zhuān)利的創(chuàng)新之處在于通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，規(guī)避了平面器件在尺寸微縮過(guò)程中遇到的限制，從而顯著提高了存儲(chǔ)密度。這一技術(shù)突破有望在未來(lái)的存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來(lái)廣泛的應(yīng)用前景。

合肥晶合集成電路股份有限公司位于安徽省合肥市新站區(qū)合肥綜合保稅區(qū)內(nèi)，專(zhuān)注于集成電路的研發(fā)與生產(chǎn)。此次專(zhuān)利的公開(kāi)，進(jìn)一步彰顯了該公司在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新能力。

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