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天眼查App顯示，盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司于2023年6月29日申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“電鍍?cè)O(shè)備的攪拌機(jī)構(gòu)、電鍍?cè)O(shè)備及電鍍方法”的發(fā)明專利，并于2024年12月31日正式公開。該專利涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，旨在提升電鍍工藝的精度和一致性。

該專利的核心創(chuàng)新在于攪拌機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)。攪拌機(jī)構(gòu)分為遮擋區(qū)域和攪拌區(qū)域，遮擋區(qū)域用于減弱該區(qū)域的流場(chǎng)，而攪拌區(qū)域則包含多個(gè)平行設(shè)置的第一槳葉。在晶圓電鍍過(guò)程中，當(dāng)晶圓缺口位于遮擋區(qū)域時(shí)，晶圓的轉(zhuǎn)速為第一轉(zhuǎn)速；當(dāng)晶圓缺口位于攪拌區(qū)域時(shí)，晶圓的轉(zhuǎn)速為第二轉(zhuǎn)速，且第一轉(zhuǎn)速小于第二轉(zhuǎn)速。這種設(shè)計(jì)有效降低了晶圓缺口在遮擋區(qū)域內(nèi)接收到的金屬離子總量，從而避免了電鍍工藝過(guò)程中晶圓缺口周邊區(qū)域電鍍高度過(guò)高的現(xiàn)象。

該技術(shù)的應(yīng)用有望顯著提升半導(dǎo)體制造的質(zhì)量和效率，減少因電鍍不均勻?qū)е碌膹U品率。盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司表示，該專利的推出將進(jìn)一步鞏固其在半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，并為行業(yè)帶來(lái)新的技術(shù)突破。

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